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J-GLOBAL ID:200903084504105940
光導波路成膜装置および光導波路成膜方法
Inventor:
,
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦 (外5名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999028452
Publication number (International publication number):2000227525
Application date: Feb. 05, 1999
Publication date: Aug. 15, 2000
Summary:
【要約】【課題】 光導波路の成膜プロセスに用いるガスを反応室に安定して供給できるような配管系を備えた光導波路成膜装置を提供する。【解決手段】 反応室11に酸素を供給するための酸素供給源12と反応室11とがメイン配管20によってつながれ、メイン配管20を流れる大量のO2 ガスによってメイン配管20の内部に高速のメインストリームS1が生じるようになっている。メイン配管20の途中に分岐管22が接続されている。分岐管22の接続部分40には、分岐管22の開口部がメインストリームS1の流れ方向に対し側方に開口して合流部41を構成している。この合流部41において、高速のメインストリームS1が分岐管22の開口部の前方を横切るように通過することにより、分岐管22の開口部付近に静圧低下が生じ、その負圧によって分岐管22の内部の第2のガスがメインストリームS1中に引き込まれるように付勢される。
Claim (excerpt):
反応室に接続されるメイン配管と、前記メイン配管に第1のガスを供給することにより前記メイン配管の内部に前記反応室に向かって高速で通過するメインストリームを生じさせる第1のガス供給源と、前記メイン配管の途中に接続される分岐管と、第2のガスを発生しかつその蒸気圧によって第2のガスを前記分岐管に送り出す第2のガス供給源とを有し、前記メイン配管と前記分岐管との接続部分には、前記分岐管を前記メインストリームの流れ方向に対し側方に開口させ、前記メインストリームによって前記分岐管の開口部付近に生じさせた静圧低下に基いて該開口部から第2のガスを前記メインストリーム中に引き込む合流部を構成したことを特徴とする光導波路成膜装置。
IPC (2):
FI (2):
G02B 6/12 M
, C23C 16/44 D
F-Term (5):
2H047QA04
, 4K030AA11
, 4K030AA14
, 4K030BA44
, 4K030EA03
Patent cited by the Patent: