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J-GLOBAL ID：200903084535569236

ハーフトーン方式位相シフトマスク及びレジスト露光方法

Inventor：
上澤 史且

About 上澤 史且


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994194852
Publication number (International publication number)：1996044039
Application date： Jul. 27, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：
【要約】【目的】各光透過領域が形成された位置に拘らず、レジストに形成されるレジストパターンの大きさを出来る限り一定とし得るハーフトーン方式位相シフトマスクを提供する。【構成】本発明のハーフトーン方式位相シフトマスクは、透明な基板上に形成された、半遮光層、及び複数の光透過領域から構成された光透過領域群から成り、半遮光層を通過した光の位相と光透過領域を通過した光の位相が異なり、隣接する光透過領域12A,12B,12Cを通過した回折光が相互に干渉し合うほど、光透過領域群の各光透過領域は近接して配列されており、光透過領域群の最外周に位置する光透過領域12B,12Cのそれぞれの近傍に、補助光透過領域40が設けられている。
Claim (excerpt)：
透明な基板上に形成された、半遮光層、及び複数の光透過領域から構成された光透過領域群から成り、半遮光層を通過した光の位相と光透過領域を通過した光の位相が異なるハーフトーン方式位相シフトマスクであって、隣接する光透過領域を通過した回折光が相互に干渉し合うほど、光透過領域群の各光透過領域は近接して配列されており、光透過領域群の最外周に位置する光透過領域のそれぞれの近傍に、補助光透過領域が設けられていることを特徴とするハーフトーン方式位相シフトマスク。
IPC (3)：
G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027
FI (2)：
H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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