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J-GLOBAL ID：200903084584609375

メモリまたはFPLAとして使用するための通常は単相のカルコゲナイド材料のプログラミング

Inventor： ジョージ エー. ゴードン ,  ウォード ディー. パーキンソン ,  ジョン エム. ピーターズ ,  タイラー エー. ローリー ,  スタンフォード オヴシンスキー ,  ガイ シー. ウィッカー ,  イリヤ ヴィ. カルポフ ,  チャールズ シー. クオ
Applicant, Patent owner： オボニックス インク.
Agent (1)： 萩原 誠
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009506504
Publication number (International publication number)：2009534835
Application date： Mar. 29, 2007
Publication date： Sep. 24, 2009
Summary：

30分以下で200°Cにさらされたとき、ほぼ結晶質の相に変化しないほぼ非晶質のカルコゲナイド材料として定義される安定カルコゲナイドガラスで実装されるメモリを提供する。異なる状態は、材料の閾値電圧を変化させることによりプログラミングすることができる。閾値電圧は、異なる振幅のパルスおよび/または異なるパルスの立下り時間と共に変化させることができる。読み出しは、2つの異なる状態の閾値電圧間の中間の基準レベルを使用して行うことができる。別のアクセスデバイスは、通常必要でない。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

異なる閾値電圧を備えた少なくとも2つの異なる状態を有するよう、30分以下で200°Cにさらされたとき、ほぼ結晶質の相に変化しないほぼ非晶質のカルコゲナイド層を含むメモリ素子をプログラミングするステップを含む方法。

IPC (5)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 21/82 ,  G11C 13/00 ,  H01L 27/10

FI (5)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A ,  H01L21/82 A ,  G11C13/00 A ,  H01L27/10 461

F-Term (11)：

5F064AA08 ,  5F064BB02 ,  5F064BB09 ,  5F064BB12 ,  5F064BB13 ,  5F064BB15 ,  5F064BB23 ,  5F064CC09 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA06 ,  5F083JA60

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 記憶素子及び記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-182775   Applicant：ソニー株式会社
• 特許第6831856号
  
• 相変化メモリ装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-569564   Applicant：株式会社東芝
• 抵抗変化素子および製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-028014   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特表平6-509909