記憶素子及び記憶装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：角田芳末 , 磯山弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004182775
Publication number (International publication number)：2005197634
Application date： Jun. 21, 2004
Publication date： Jul. 21, 2005
Summary：

【課題】情報の記録及び読み出しを容易に安定して行うことができ、比較的簡単な製造方法で容易に製造することができる記憶素子を提供する。【解決手段】第1の電極2と第2の電極6との間に記憶用薄膜4が挟まれて構成され、記憶用薄膜4に少なくとも希土類元素が含まれており、記憶用薄膜内もしくは記憶用薄膜4と接している層3に、Cu,Ag,Znから選ばれるいずれかの元素が含まれ、記憶用薄膜内もしくは記憶用薄膜4と接している層3に、Te,S,Seから選ばれるいずれかの元素が含まれている記憶素子10を構成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の電極と、第2の電極との間に、記憶用薄膜が挟まれて構成され、前記記憶用薄膜に、少なくとも希土類元素が含まれており、前記記憶用薄膜内、もしくは、前記記憶用薄膜と接している層に、Cu,Ag,Znから選ばれるいずれかの元素が含まれ、前記記憶用薄膜内、もしくは、前記記憶用薄膜と接している層に、Te,S,Seから選ばれるいずれかの元素が含まれていることを特徴とする記憶素子。

IPC (2)：

H01L27/10 , H01L45/00

FI (4)：

H01L27/10 448 , H01L27/10 431 , H01L45/00 A , H01L45/00 B

F-Term (13)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083GA27 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083PR03 , 5F083PR04 , 5F083PR07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

プログラマブルマイクロエレクトロニックデバイスおよびその形成およびプログラミング方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-599033 Applicant：アリゾナボードオブリージェンツ
特開昭49-017184
電気的消去可能型相転移メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-006940 Applicant：エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド

Show all

Cited by examiner (7)

特開昭49-017184
特開昭49-017184
電気的消去可能型相転移メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-006940 Applicant：エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド

Show all

Return to Previous Page