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J-GLOBAL ID：200903084619241341

成膜処理装置

Inventor：
半田 達也

About 半田 達也


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 亀谷 美明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001185903
Publication number (International publication number)：2003007643
Application date： Jun. 20, 2001
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：
【要約】【課題】 所望の未成膜部を形成できるとともに,クランプリングが被処理体に与える影響を均一化し,均一な成膜が可能な成膜処理装置を提供する。【解決手段】 クランプリング24の,リング本体126下面の半導体ウエハ1最外周部に対向する部分に,例えばブラスト加工によって形成するランダムな微小凹凸を有する接触部124を設ける。接触部124は,リング本体126の内周端から距離d2の位置から幅d1の領域に,全周にわたって形成される。距離d2は例えば約1〜3mm程度,幅は例えば約1mm程度とすることができる。また,リング本体126は,接触部124以外の部分では,距離Rmaxを保って半導体ウエハ1と対向する。距離Rmaxは,例えば1.6μm以下に形成する。
Claim (excerpt)：
被処理体の処理面に対して成膜処理を施す成膜処理装置において,被処理体の処理面の周縁部をクランプするクランプリングを備え,前記クランプリングは,被処理体の周縁部において被処理体に全周接触する接触部と,前記接触部の内周側において前記被処理体の処理面に所定の間隔を空けて対向する対面部とを備え,前記接触部は,ランダムな微小凹凸面が形成されていることを特徴とする,成膜処理装置。
IPC (3)：
H01L 21/285 ,  C23C 16/04 ,  H01L 21/205
FI (3)：
H01L 21/285 C ,  C23C 16/04 ,  H01L 21/205
F-Term (12)：
4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030KA45 ,  4K030LA15 ,  4M104BB18 ,  4M104DD44 ,  4M104HH20 ,  5F045BB15 ,  5F045CB10 ,  5F045EM03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 蒸着のためのウェハクランプおよびその使用方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-245549   Applicant：エルエスアイロジックコーポレーション
  • 半導体ウェハ用クランプリング
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-041322   Applicant：株式会社日本セラテック, 太平洋セメント株式会社
  • CVD装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-129206   Applicant：アネルバ株式会社
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