ダイヤモンド膜の製造方法およびそれを用いた電子デバイスの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高山道夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002042603
Publication number (International publication number)：2003243314
Application date： Feb. 20, 2002
Publication date： Aug. 29, 2003
Summary：

【要約】【課題】正孔の移動度を飛躍的に増加させることを可能にするダイヤモンド膜の製造方法、および、それを用いた電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 (001)面方位を有する高温高圧合成ダイヤモンド単結晶基板1上にマイクロ波プラズマ化学気相堆積法で成長するダイヤモンド膜2の製造方法であって、ダイヤモンド膜2の成長時の基板温度を摂氏640度から680度までの範囲にし、成長後のダイヤモンド膜2の厚さを1μmから3μmの範囲にした。

Claim (excerpt)：

(001)面方位を有する高温高圧合成ダイヤモンド単結晶基板上にマイクロ波プラズマ化学気相堆積法で成長するダイヤモンド膜の製造方法であって、前記ダイヤモンド膜の成長時の基板温度を摂氏640度から680度までの範囲にし、成長後の前記ダイヤモンド膜の厚さを1μmから3μmの範囲にしたことを特徴とするダイヤモンド膜の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 , C23C 16/27 , C30B 29/04 , H01L 21/336 , H01L 29/78

FI (5)：

H01L 21/205 , C23C 16/27 , C30B 29/04 E , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 301 Y

F-Term (45)：

4G077AA03 , 4G077BA03 , 4G077DB19 , 4G077EA02 , 4G077ED05 , 4G077EH01 , 4G077HA06 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TB02 , 4G077TB07 , 4G077TK06 , 4K030AA09 , 4K030AA17 , 4K030BA28 , 4K030BB02 , 4K030CA01 , 4K030FA01 , 4K030JA01 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 5F045AA09 , 5F045AB07 , 5F045AC08 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AE23 , 5F045AF02 , 5F045AF13 , 5F045BB16 , 5F045CA05 , 5F140AA01 , 5F140BA04 , 5F140BA20 , 5F140BC12 , 5F140BD06 , 5F140BE10 , 5F140BE13 , 5F140BE20 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BG30 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BK29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

ダイヤモンドの合成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-212447 Applicant：科学技術庁無機材質研究所長
ダイヤモンド半導体デバイス及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-174722 Applicant：科学技術振興事業団, 科学技術庁無機材質研究所長

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

金属/ダイヤモンド薄膜の接合特性とその制御

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