有機エレクトロルミネッセンス素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：久保山隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995000481
Publication number (International publication number)：1996190986
Application date： Jan. 06, 1995
Publication date： Jul. 23, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】高分子を用いた高輝度、高発光効率、低駆動電圧の有機EL素子を提供する。【構成】有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層に用いる高分子蛍光体と有機化合物を含む層に用いる有機化合物とに関してそれぞれ次に示すEを求めたとき、E=EOX-1239/λedge〔λedge(nm)は薄膜の吸収端波長、EOX(V)は酸化開始電位〕高分子蛍光体および有機化合物のEを、それぞれE1 、E2 とすると0.7≦(E1 -E2 )≦1.2が成り立ち、高分子蛍光体が下式(1)-Ar1 -CR1 =CR2 - (1)〔Ar1 はアリーレン基または複素環化合物基、R1 、R2 は水素、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数4〜20の複素環化合物基およびシアノ基〕で示される繰り返し単位が全繰り返し単位の50モル%以上であり、ポリスチレン換算の数平均分子量が103 〜107 である。

Claim (excerpt)：

少なくとも一方が透明または半透明である一対の陽極および陰極からなる電極間に、少なくとも発光層を有し、かつ陽極と該発光層との間に、該発光層に隣接して有機化合物を含む層を設けた有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層に用いる高分子蛍光体と該有機化合物を含む層に用いる有機化合物とに関してそれぞれ次に示すEを求めたとき、【数1】E=EOX-1239/λedge〔ここで、λedge(nm)は薄膜の吸収スペクトルの吸収端波長を示し、EOX(V)は電気化学的に求めた酸化開始電位を示す。〕該高分子蛍光体および該有機化合物のEを、それぞれE1 、E2 とすると【数2】0.7≦(E1 -E2 )≦1.2が成り立ち、かつ該高分子蛍光体が下式(1)【化1】-Ar1 -CR1 =CR2 - (1)〔ここで、Ar1 は、共役結合に関与する炭素原子数が4個以上20個以下からなるアリーレン基または複素環化合物基、R1 、R2 はそれぞれ独立に水素、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数4〜20の複素環化合物基およびシアノ基からなる群から選ばれる基を示す。〕で示される繰り返し単位を1種類以上含み、かつそれらの繰り返し単位の合計が全繰り返し単位の50モル%以上であり、ポリスチレン換算の数平均分子量が103 〜107 であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

IPC (2)：

H05B 33/14 , C09K 11/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

有機エレクトロルミネッセンス素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-013756 Applicant：住友化学工業株式会社
有機エレクトロルミネッセンス素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-140534 Applicant：東洋インキ製造株式会社
反射防止膜およびレジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-288131 Applicant：日本合成ゴム株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

第2節正孔輸送層

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