短波長レーザ光源

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小鍜治明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993126925
Publication number (International publication number)：1994338650
Application date： May. 28, 1993
Publication date： Dec. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】コンパクトで高出力かつ安定な短波長レーザ光源を提供する。【構成】 Siサブマウント20上に半導体レーザ21と光導波路2および分極反転層3が形成されたLiTaO3基板による光波長変換素子22が設置されている。光導波路2に半導体レーザ21からの光が入射し、光導波路2中の波長変換部26で高調波P2へと変換が生じる。この際、波長変換部26はサブマウントとは熱的に遮断されている。【効果】半導体レーザの発熱は遮断されており光波長変換素子に伝わることがないため、短波長光源の出力は変わることなく安定な高出力動作が行える。

Claim (excerpt)：

サブマウント上に半導体レーザおよび光波長変換素子を備え、前記半導体レーザの基本波が前記光導波路に直接結合する短波長レーザ光源において、前記半導体レーザの活性層の形成面および光波長変換素子の光導波路形成面がサブマウントに向き合い、なおかつ光波長変換素子の波長変換部が熱的に半導体レーザの発熱から遮断された構成となることを特徴とする短波長レーザ光源。

IPC (5)：

H01S 3/109 , G02B 6/12 , G02F 1/37 , H01S 3/094 , H01S 3/133

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開昭63-301582
特開昭50-029282
特開平4-181928

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