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J-GLOBAL ID：200903084661491307

電子部品の製造方法

Inventor： 佐々木 俊哉 ,  内山 一義 ,  川口 正彦
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 西澤 均
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997187875
Publication number (International publication number)：1999016758
Application date： Jun. 26, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】 切断用ブレードの摩耗を抑制することが可能で、かつ、電極をパターニングする工程などにおいて用いられる処理液が基板上に停滞せず、ファインな線形(パターン)を得ることが可能な電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】 ユニット基板1の表面の切断ラインA上にある電極(接続電極)2aに、所定の幅WgのギャップGを形成し、切断用ブレードにより、ギャップGを挟んで対向する一対の電極パターン2のそれぞれの一部を切削しつつ、ユニット基板1のギャップ部分を切断することにより、互いに対向する2つの切断端面に接続電極2a,2aを露出させる。また、ギャップGの幅Wgを、Wg≦Wb-2α(Wb:切断用ブレードの厚み,α:切断用ブレードの厚み方向への切断位置ずれ量)とする。

Claim (excerpt)：

表面に電極を配設してなるユニット基板(親基板)を、所定の切断ラインに沿って切断することにより、切断端面に電極の露出した素子を得る工程を含む電子部品の製造方法において、ユニット基板の表面の切断ライン上にある電極に、所定の幅Wgのギャップを形成し、切断用ブレードにより、前記ギャップを挟んで対向する一対の電極のそれぞれを切削しつつ、切断ラインに沿ってユニット基板のギャップ部分を切断することにより、互いに対向する2つの切断端面に電極を露出させる工程を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。

IPC (3)：

H01F 41/04 ,  H01F 27/29 ,  H01F 17/00

FI (3)：

H01F 41/04 C ,  H01F 17/00 B ,  H01F 15/10 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 高周波インダクタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-334239   Applicant：東光株式会社
• 半導体基板ダイシング法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-328553   Applicant：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社