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J-GLOBAL ID：200903084674748773

半導体装置の製造方法

Inventor： 菅原 稔
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 土屋 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998064782
Publication number (International publication number)：1999251536
Application date： Feb. 27, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】 露光波長よりも微細で且つ密なパターンと露光波長よりも微細で且つ疎なパターンとの両方を含む半導体装置を製造する。【解決手段】 メモリ部12及び論理部13の多結晶Si膜15をエッチングする際のマスクにするレジスト17、23を形成するために別個のリソグラフィを実行する。このため、リソグラフィで露光方法やマスク層の材料等について別個の条件を採用することができ、多結晶Si膜15をメモリ部12及び論理部13で夫々露光波長よりも微細で且つ密なパターン及び疎なパターンにエッチングする場合に、夫々のパターンの形成に適した条件を採用することができる。

Claim (excerpt)：

第1の領域における被エッチング層上に第1のマスク層を形成するための第1のリソグラフィを実行する工程と、第2の領域における前記被エッチング層上に第2のマスク層を形成するための第2のリソグラフィを実行する工程と、前記第1及び第2のマスク層をマスクにして前記第1及び第2の領域における前記被エッチング層を同時にエッチングする工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 27/10 461 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5)：

H01L 27/10 461 ,  H01L 21/30 502 A ,  H01L 21/30 573 ,  H01L 21/302 N ,  H01L 27/10 681 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 露光方法及び露光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-334121   Applicant：株式会社日立製作所
• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-256319   Applicant：沖電気工業株式会社