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J-GLOBAL ID：200903084761482895

GaN系半導体装置

Inventor：
吉田 清輝

About 吉田 清輝

, 
和田 崇宏

About 和田 崇宏


Applicant, Patent owner：
古河電気工業株式会社

About 古河電気工業株式会社


Agent (1)： 長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001246113
Publication number (International publication number)：2003059946
Application date： Aug. 14, 2001
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：
【要約】【課題】 動作時のオン抵抗が低く、大電流動作が可能なHEMT構造のGaN系半導体装置を提供する。【解決手段】 全体がGaN系半導体材料で構成され、第1のアンドープ材料から成る下層3と第1のアンドープ材料よりもバンドギャップエネルギーが大きい第2のアンドープ材料から成る上層4との層構造が基板1の上に形成され、上層4の表面には、ゲート電極G、ソース電極S、およびドレイン電極Dが形成されているGaN系半導体装置Aであって、ソース電極Sとドレイン電極Dの形成領域4Aにおける上層4の厚みが、他の領域4Bにおける厚みよりも薄くなっているGaN系半導体装置。
Claim (excerpt)：
全体がGaN系半導体材料で構成され、第1のアンドープ材料から成る下層と前記第1のアンドープ材料よりもバンドギャップエネルギーが大きい第2のアンドープ材料から成る上層との層構造が基板の上に形成され、前記上層の表面には、ゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極が形成されているGaN系半導体装置であって、前記ソース電極と前記ドレイン電極の形成領域における前記上層の厚みが、他の領域における厚みよりも薄くなっていることを特徴とするGaN系半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/338 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (2)：
H01L 21/205 ,  H01L 29/80 H
F-Term (40)：
5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB19 ,  5F045AB32 ,  5F045AC12 ,  5F045AD10 ,  5F045AD12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045CB10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F045HA16 ,  5F102FA02 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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