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J-GLOBAL ID：200903084787858559

発光素子及びその製造方法

Inventor： 藤 本 英 俊 ,  波多腰 玄 一 ,  寺 内 衛
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998182519
Publication number (International publication number)：2000022277
Application date： Jun. 29, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 光ディスク等に使用できる良好なビーム特性を備えた発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 窒化物半導体からなる発光部と、前記発光部から放出される光の波長よりも小さい開口径を有するピンホールを有する波面変換部とを備えることにより、ピンホールを介してエバネッセント波を取り出すことができる。このようなピンホールは、レーザ光を放出させて開口することができる。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体からなる発光部と、前記発光部から放出される光の放射形状を、その波長よりも小さい放射形状に変換し出力光として放出する第1の波面変換部と、を備えたことを特徴とする発光素子。

IPC (2)：

H01S 5/30 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

F-Term (26)：

5F041AA06 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA13 ,  5F041CA14 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F073AA09 ,  5F073AA20 ,  5F073AA45 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA85 ,  5F073AB17 ,  5F073AB25 ,  5F073AB26 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB20 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 記録再生用光メモリヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-298981   Applicant：学校法人東海大学
• 記録再生用光メモリヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-328689   Applicant：学校法人東海大学
• ニアフイールド光学顕微鏡用光導入装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-262235   Applicant：オリンパス光学工業株式会社
• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-082869   Applicant：株式会社日立製作所
• 面型半導体レーザ装置及び面型半導体レーザ装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-000604   Applicant：日本電気株式会社
• 特開昭64-000785