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J-GLOBAL ID：200903084801585323

強誘電体メモリ

Inventor： 熊谷 幸博 ,  三浦 英生 ,  熊沢 鉄雄 ,  北野 誠
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997246488
Publication number (International publication number)：1999087635
Application date： Sep. 11, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体装置の外からの荷重に対して素子特性の変化率の小さい強誘電体メモリを提供し、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】蓄積容量の電極14,15の電極面の好ましくは大部分が半導体基板1に対して垂直、あるいは大きな角度をなすように配置されている。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたトランジスタと、このトランジスタに直接、あるいは導電性膜を介して電気的に接続している蓄積容量とで構成され、この蓄積容量の容量絶縁膜として強誘電体を用いた半導体素子と、外部と電気的な接続を図る接続部を封止材料により封止した半導体装置において、前記蓄積容量の電極面の大部分が、前記半導体素子に加わる最大加重の方向に対して平行、あるいは平行に近い角度を有していることを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (7)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371