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J-GLOBAL ID：200903084815464588

超伝導平面回路およびその製造方法

Inventor：
榊原 伸義

About 榊原 伸義

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都築 玄一

About 都築 玄一

, 
鈴木 正信

About 鈴木 正信


Applicant, Patent owner：
株式会社移動体通信先端技術研究所

About 株式会社移動体通信先端技術研究所


Agent (1)： 伊藤 洋二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997028086
Publication number (International publication number)：1998224110
Application date： Feb. 12, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：
【要約】【課題】 動作温度が上昇したときに、超伝導薄膜を用いた超伝導フィルタから常伝導薄膜を用いた常伝導フィルタに自動的に切り替え、所望のフィルタ動作を得る。【解決手段】 対向配置された一対の誘電体基板10、20間に、回路パターン30が形成され、誘電体基板10、20の外側の面にグランドプレーン40が形成されてストリップライン構造の超伝導フィルタを構成している。回路パターン30は、内部が常伝導薄膜32にて形成され、外周部が超伝導薄膜31にて形成されている。極低温で動作させた場合は、外周部の超伝導薄膜31に電流が集中して流れるため、超伝導フィルタとして機能し、動作温度が上昇した場合は、内部の常伝導薄膜32に電流が流れるので、自動的に超伝導フィルタから常伝導フィルタに切り替えて動作させることができる。
Claim (excerpt)：
対向配置された第1、第2の誘電体基板(10、20)のそれぞれの一方の面の間に、超伝導薄膜を用いて形成された回路パターン(30)を有し、前記第1、第2の誘電体基板(10、20)のそれぞれの他方の面に、超伝導薄膜(41)と常伝導部材(42)とが順次重なった構造のグランドプレーン(40)を有するストリップライン構造の超伝導平面回路において、前記回路パターン(30)は、内部に常伝導薄膜(32)が配置され、外周部に超伝導薄膜(31)が配置された構造になっていることを特徴とする超伝導平面回路。
IPC (4)：
H01P 1/203 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01P 3/08 ,  H01P 7/08 ZAA
FI (4)：
H01P 1/203 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA F ,  H01P 3/08 ,  H01P 7/08 ZAA
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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