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J-GLOBAL ID：200903084850077880

局所エッチング方法及び装置

Inventor： 三木 一司 ,  安藤 淳
Applicant, Patent owner： 工業技術院長
Agent (1)： 工業技術院電子技術総合研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994198080
Publication number (International publication number)：1996060383
Application date： Aug. 23, 1994
Publication date： Mar. 05, 1996
Summary：

【要約】【目的】 小型、安価な装置により、導電性基板の表面を精密に局所エッチングする。【構成】 電解槽10内に溶液12を注入し、これに、表面を局所エッチングすべき導電性基板11を浸漬する。溶液12に電気的に接触した参照電極13と導電性基板11との間に、導電性基板11の表面が電気化学的に酸化される酸化電位となる電圧を直流電源15によって印加する。探針30の先端を導電性基板11の表面に近付け、当該探針30と導電性基板11との間に、探針先端が臨んでいる基板表面の局所領域が還元電位となる電圧を直流電源18によって印加する。

Claim (excerpt)：

導電性基板の表面を局所的にエッチングする局所エッチング方法であって;該導電性基板を酸性溶液中に浸漬して電気化学的な酸化電位に付け;これにより表面が酸化された上記導電性基板の該酸化表面に探針の先端を近付け;該酸化表面にあって該探針の先端が臨んでいる局所領域を電気化学的な還元電位にすること;を特徴とする局所エッチング方法。

IPC (3)：

C23F 1/02 ,  H01L 21/30 ,  H01L 21/306

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 微細加工装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-074734   Applicant：セイコー電子工業株式会社
• トンネル電流微細加工法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-293952   Applicant：科学技術庁金属材料技術研究所長
• 特開昭49-088481