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J-GLOBAL ID：200903084871982966

半導体発光素子およびその作製方法

Inventor：
中平 篤

About 中平 篤

, 
松岡 隆志

About 松岡 隆志


Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社

About 日本電信電話株式会社


Agent (1)： 谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995130877
Publication number (International publication number)：1996330627
Application date： May. 29, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：
【要約】【目的】 III 族窒化物半導体InGaAlNエピタキシャル膜の高品質化によって高効率、長寿命の半導体発光素子およびその作製方法を再現よく提供すること。【構成】 サファイア基板1上に窒化層2を形成した後、300〜800°CでIn1-X'-Y' GaX'AlY'N(0≦X’,Y’,X’+Y’≦1)を堆積して、バッファ層3を形成し、多結晶と非晶質の混在する膜を得る。引き続き800°C〜1,000°Cでアニールして配向した多結晶の平坦膜とする。この上にSiドープn型低抵抗GaN層4、半絶縁性のZnドープGaN発光層5を成長し、この半絶縁性膜の上に電極6を設け、層4上にはオーミック電極7を形成する。これによりIn1-X-Y GaX AlY N層(0≦X,Y,X+Y≦1)を少なくとも1層含み、かつ上述のバッファ層を有する半導体発光素子を得る。
Claim (excerpt)：
第一のIn1-X-Y GaX AlY N層(0≦X,Y,X+Y≦1)を少なくとも一層含む半導体発光素子において、配向した多結晶のまたは非晶質と配向した多結晶とが混在した第二のIn1-X'-Y' GaX'AlY'N層(0≦X’,Y’,X’+Y’≦1)が基板に接して積層され、前記第二のIn1-X'-Y' GaX'AlY'N層の上に、前記基板および第二のIn1-X'-Y' GaX'AlY'N層以外の前記半導体発光素子の構成部分が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/20
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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