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J-GLOBAL ID：200903084908909253

磁気メモリ装置

Inventor： 中 島 健太郎 ,  猪 俣 浩一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000072579
Publication number (International publication number)：2000331473
Application date： Mar. 15, 2000
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 容量を可及的に大きくするとともに、高速かつ低消費電力化を実現することを可能にする。【解決手段】 強磁性導電層11,13,15とトンネルバリア層12,14とが交互に積層された強磁性多重トンネル接合を有する素子10を各々が有する複数のメモリセルと、強磁性多重トンネル接合に磁界を印加する磁界印加手段と、を備え、強磁性多重トンネル接合を構成する複数の強磁性導電層のうち、少なくとも3つの強磁性導電層が各々異なる保持力を有しており、これらの3つの強磁性導電層の磁化方向が磁界印加手段により独立に反転可能なように構成されている。

Claim (excerpt)：

強磁性導電層とトンネルバリア層とが交互に積層された強磁性多重トンネル接合を有する素子を各々が有する複数のメモリセルと、前記強磁性多重トンネル接合に磁界を印加する磁界印加手段と、を備え、前記強磁性多重トンネル接合を構成する複数の強磁性導電層のうち、少なくとも3つの強磁性導電層が各々異なる保持力を有しており、これらの3つの強磁性導電層のうち、少なくも2つの強磁性導電層の磁化方向が前記磁界印加手段により独立に反転可能なように構成されていることを特徴とする磁気メモリ装置。

IPC (3)：

G11C 11/15 ,  G11C 11/14 ,  H01L 43/08

FI (3)：

G11C 11/15 ,  G11C 11/14 A ,  H01L 43/08 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気抵抗効果型ヘッド、メモリー素子、及び増幅素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-334673   Applicant：松下電器産業株式会社
• 磁気抵抗効果素子及び磁気情報検出方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-069581   Applicant：株式会社東芝
• 磁気素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-118991   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-042417