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J-GLOBAL ID:200903084914110925

感電離放射線性樹脂組成物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993318195
Publication number (International publication number):1995175213
Application date: Dec. 17, 1993
Publication date: Jul. 14, 1995
Summary:
【要約】【目的】 高解像力でかつ膜厚依存性が小さく、現像ラチチュードが広く、現像残渣が発生しにくい超微細加工用ポジ型フォトレジストを提供する。【構成】 水不溶性アルカリ可溶性樹脂と水不溶性アルカリ可溶性低分子化合物及び感電離放射線性化合物を含有する感電離放射線性樹脂組成物に於いて、該感電離放射線性化合物がフェノ-ル性水酸基を3個有する水不溶性アルカリ可溶性低分子化合物のナフトキノンジアジドスルフォン酸ジエステル化合物(A)とフェノ-ル性水酸基を4個有する水不溶性アルカリ可溶性低分子化合物のナフトキノンジアジドスルフォン酸ジエステル化合物(B)との混合物が感電離放射線性化合物の30%以上であることを特徴とする。
Claim (excerpt):
水不溶性アルカリ可溶性樹脂、水不溶性アルカリ可溶性低分子化合物、及び感電離放射線性化合物を含有する感電離放射線性樹脂組成物に於いて、該感電離放射線性化合物として、フェノ-ル性水酸基を3個有する水不溶性アルカリ可溶性低分子化合物のナフトキノンジアジドスルフォン酸ジエステル化合物(A)及びフェノ-ル性水酸基を4個有する水不溶性アルカリ可溶性低分子化合物のナフトキノンジアジドスルフォン酸ジエステル化合物(B)の混合物を、該感電離放射線性化合物の30%以上含有することを特徴とする感電離放射線性樹脂組成物。
IPC (4):
G03F 7/022 ,  G03F 7/023 511 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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