半導体装置及びその作製方法並びに半導体装置応用システム

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：福森久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002208904
Publication number (International publication number)：2003115487
Application date： Jul. 17, 2002
Publication date： Apr. 18, 2003
Summary：

【要約】【目的】本発明は上記の状況に鑑みてなされたもので、窒化ホウ素膜を用いて表面保護および表面不活性化を実現できる半導体表面処理、成膜方法およびその表面保護技術や表面下活性化技術を用いて作製した高性能半導体装置並びに半導体装置を含む通信システムの電子装置を提供することを目的とする。【解決手段】少なくともホウ素及び窒素原子を含むことを特徴とする膜を有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

少なくともホウ素及び窒素原子を含むことを特徴とする膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L 21/318 , H01L 21/331 , H01L 21/338 , H01L 29/201 , H01L 29/737 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (4)：

H01L 21/318 B , H01L 29/201 , H01L 29/80 H , H01L 29/72 H

F-Term (30)：

5F003BA11 , 5F003BA13 , 5F003BF06 , 5F003BH08 , 5F003BM01 , 5F003BM03 , 5F003BP31 , 5F058BA20 , 5F058BD01 , 5F058BD13 , 5F058BF02 , 5F058BF22 , 5F058BF30 , 5F058BJ04 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GV06 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭61-171141
特開昭62-109975
エピタキシャルウェハおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-324870 Applicant：昭和電工株式会社

Show all

Return to Previous Page