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J-GLOBAL ID：200903085000194795

GaN系半導体層の成長方法およびそれを用いた半導体基板の製造方法、半導体装置の製造方法

Inventor： 砂川 晴夫 ,  石原 裕次郎 ,  碓井 彰
Applicant, Patent owner： 古河機械金属株式会社
Agent (2)： 森下 賢樹 ,  速水 進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003085155
Publication number (International publication number)：2004296640
Application date： Mar. 26, 2003
Publication date： Oct. 21, 2004
Summary：

【課題】ハイドライド気相成長法により、良質なGaN系半導体層を高速で成長させることのできる方法を提供する。【解決手段】窒素元素を含むV族原料ガスと、Gaおよびハロゲンを含む化合物からなるIII族原料ガスとを基板表面に供給する工程において、III族原料ガスの供給流量に対するV族原料ガスの供給流量の比により規定されるV/III比を、0.1以上10未満とする。たとえばグラフ中のaに示されるようにV/III比を5〜9程度の値とする。【選択図】 図8

Claim (excerpt)：

ハイドライド気相成長法により基板上にGaN系半導体層を成長させる方法であって、 窒素元素を含むV族原料ガスと、Gaおよびハロゲンを含む化合物からなるIII族原料ガスとを基板表面に供給する工程を含み、 前記III族原料ガスの供給流量に対する前記V族原料ガスの供給流量の比により規定されるV/III比を、0.1以上10未満とすることを特徴とするGaN系半導体層の成長方法。

IPC (2)：

H01L21/205 ,  H01S5/343

FI (2)：

H01L21/205 ,  H01S5/343 610

F-Term (20)：

5F045AA08 ,  5F045AB14 ,  5F045AC13 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF04 ,  5F045BB02 ,  5F045BB09 ,  5F045BB11 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE12 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073DA07 ,  5F073DA35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 気相成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-113697   Applicant：松下電器産業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法及び窒化ガリウム系化合物半導体基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-251411   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法及び窒化物半導体エピタキシャルウェハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-370391   Applicant：日立電線株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Hydrogen and nitrogen ambient effects on epitaxial growth of GaN by hydride vapour phase epitaxy