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J-GLOBAL ID：200903090085905974

窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法及び窒化物半導体エピタキシャルウェハ

Inventor：
大島 祐一

About 大島 祐一

, 
坂口 春典

About 坂口 春典


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000370391
Publication number (International publication number)：2002175985
Application date： Dec. 05, 2000
Publication date： Jun. 21, 2002
Summary：
【要約】【課題】 結晶欠陥や反りやクラックが少なく大面積の窒化物半導体エピタキシャルが得られる窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法及び窒化物半導体エピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】 サファイア基板1の表面近傍若しくは異種基板10上に形成された剥離用窒化物半導体層11に水素や窒素、酸素等のイオンを打ち込むことにより得られる中間層2、12は、アモルファス的な構造となるため、歪みを吸収、緩和し、クラックや反り等が低減する。中間層2、12は窒化物半導体層3、14の成長中に加熱されることによりボイドが生じる。ボイドは歪みの吸収、緩和効果が高く、クラックや反り等が低減し、結晶緩和を減少させる。基板表面が異種基板1若しくは窒化物半導体層14のため、ボイドを有する中間層2、12の歪み吸収効果が大きくなり、高品質で大口径の窒化物半導体エピタキシャルウェハが得られる。
Claim (excerpt)：
サファイア基板の表面近傍に該サファイア基板より機械的強度の弱い中間層を形成し、該中間層を形成したサファイア基板の上にデバイス用窒化物半導体層をエピタキシャル成長させることを特徴とする窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (4)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323
F-Term (52)：
4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030CA01 ,  4K030DA03 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030LA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA71 ,  5F041CA73 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045HA05 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA14 ,  5F073DA35
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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