Pat
J-GLOBAL ID:200903085028540290
記憶装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
特許業務法人第一国際特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002261987
Publication number (International publication number):2004102539
Application date: Sep. 06, 2002
Publication date: Apr. 02, 2004
Summary:
【課題】フラッシュメモリ(FM)を用いた外部記憶装置において、書込処理性能を落とさずに、書込セクタを管理する。【解決手段】FM3と制御部10とを有し、上位装置6からのデータを記憶し、記憶したデータを読み出して装置6に転送する記憶装置1において、制御部10は、装置6からの命令を受信しデータの送受信を行うSCSI処理部12と、データを一時的に蓄積するバッファメモリ(BM)16,17と、BM16,17とFM3の間で転送指示によってデータ転送を行うメモリ処理部13と、SCSI処理部12が受信した命令を解読し転送指示を与えるCPU11と、ROM18と、CPU11がプログラムを実行するときにワークエリアとしてデータを格納するRAM19とを備え、FM3の書替回数をRAM19とFM3によって管理し、書替回数が規格値を超える場合に、FM3内の代替セクタに再割付けする。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
消去可能なメモリと制御部とを有し、上位装置からの命令に基づいて、上位装置から転送されるデータを記憶し、かつ、記憶したデータを読み出して上位装置に転送する記憶装置において、
前記記憶装置の制御部は、
前記上位装置からの命令を受信し前記データの送受信を行う上位装置処理部と、前記データを一時的に蓄積するバッファメモリと、
前記バッファメモリと記憶手段としての消去可能なメモリの間で所定の転送指示によってデータ転送を行うメモリ処理部と、
前記上位装置処理部が受信した前記命令を解読し転送指示を与える中央処理装置と、
前記中央処理装置のプログラムを格納する第1のメモリと、
前記中央処理装置が前記プログラムを実行するときにワークエリアとしてデータを格納する第2のメモリとを備え、
前記消去可能なメモリの書替回数を前記第2のメモリと前記消去可能なメモリによって管理し、前記消去可能なメモリの書替回数の規格値を超える場合には、前記消去可能なメモリ内の代替セクタに再割付けする
ことを特徴とする記憶装置。
IPC (4):
G06F12/16
, G06F3/06
, G06F3/08
, G11C16/02
FI (6):
G06F12/16 310A
, G06F12/16 310Q
, G06F3/06 304P
, G06F3/06 306Z
, G06F3/08 A
, G11C17/00 601E
F-Term (17):
5B018GA01
, 5B018GA02
, 5B018GA04
, 5B018HA01
, 5B018HA14
, 5B018HA23
, 5B018KA14
, 5B018MA22
, 5B018NA06
, 5B018QA14
, 5B018QA15
, 5B025AD04
, 5B025AE01
, 5B025AE05
, 5B065BA05
, 5B065EA27
, 5B065EK05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
-
半導体ディスク装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-244713
Applicant:株式会社東芝
-
フラッシュメモリ管理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-005058
Applicant:株式会社東芝
-
ディスク装置の診断方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-053632
Applicant:株式会社ピーエフユー
-
書換回数制限型メモリのデータ管理方式
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-314467
Applicant:富士通株式会社
-
データ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-289779
Applicant:三菱電機株式会社
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Cited by examiner (5)
-
半導体ディスク装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-244713
Applicant:株式会社東芝
-
フラッシュメモリ管理方法
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Application number:特願平8-005058
Applicant:株式会社東芝
-
データ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-289779
Applicant:三菱電機株式会社
-
ディスク装置の診断方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-053632
Applicant:株式会社ピーエフユー
-
書換回数制限型メモリのデータ管理方式
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-314467
Applicant:富士通株式会社
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