微細パターン作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長尾達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999317015
Publication number (International publication number)：2001135566
Application date： Nov. 08, 1999
Publication date： May. 18, 2001
Summary：

【要約】【課題】フォトプロセスの自由度、及び歩留まりを向上させることができ、露光時間の短縮化が可能となり、また、デバイスの作製が容易となるコントラストの大きい微細パターンを形成することができる微細パターン作製方法を提供する。【解決手段】微細パターン作製方法において、フォトマスクの遮光膜を、基板上のフォトレジストに接触させた後、さらに押し付け、遮光膜によって形成された微小開口と前記フォトレジストとの距離を近付けてから、エバネッセント光によってフォトレジストを露光するように構成する。

Claim (excerpt)：

遮光膜による転写元微細パターンを有するフォトマスクを用い、該遮光膜によって形成された微小開口から染み出すエバネッセント光によって基板上のフォトレジストを露光し、前記転写元微細パターンを前記基板上のフォトレジストに転写して、微細パターンを形成する微細パターン作製方法であって、前記フォトマスクの遮光膜を、前記基板上のフォトレジストに接触させた後、さらに押し付け、前記遮光膜によって形成された微小開口と前記フォトレジストとの距離を近付けてから、前記エバネッセント光によってフォトレジストを露光することを特徴とする微細パターン作製方法。

IPC (4)：

H01L 21/027 , B82B 3/00 , G03F 7/20 521 , G02B 5/18

FI (5)：

B82B 3/00 , G03F 7/20 521 , G02B 5/18 , H01L 21/30 502 D , H01L 21/30 511

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

露光方法及び露光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-322231 Applicant：キヤノン株式会社
特開平1-117032
特開平1-221384

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