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J-GLOBAL ID：200903090539642051

微細パターン形成方法

Inventor：
納谷 昌之

About 納谷 昌之

, 
坂口 新治

About 坂口 新治


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (1)： 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000119670
Publication number (International publication number)：2001015427
Application date： Apr. 20, 2000
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：
【要約】【課題】 光リソグラフィを用いたパターン形成方法において、ナノメータオーダーの微細なパターンを高アスペクト比で形成する。【解決手段】 基板1上に、有機高分子からなる第1レジスト膜2と感光性材料からなる第2レジスト層3を順次塗布し、2層レジスト層を形成する。ガラス等の誘電体からなるマスク基板5上に金属の微少な開口パターン6を形成したマスク4を前記2層レジストに密着させて、ガラス基板裏面からの光照射により、マスク4の金属が形成されていない開口部からしみ出す近接場光7により露光を行う。第2レジスト層3を、現像液で現像してパターンを形成し、その第2レジスト層3のパターンをマスクにして、第1レジスト層2をO2プラズマによりドライエッチングし、アスペクト比の高い微細なパターンを形成し、2層のレジストのパターンにより、基板をエッチング、または蒸着等により加工した後、2層のレジストを剥離する。
Claim (excerpt)：
基板上にドライエッチングにより除去可能な第1レジスト層と、光照射による照射部分のみまたは非照射部分のみが現像溶媒に可溶となる感光性の耐ドライエッチング性を有する第2レジスト層をこの順に積層してなる記録材料に、照射光を受けて近接場光を発生させる手段により、前記記録材料の第2レジスト層に前記近接場光を所望のパターン状で照射し、その後、該第2レジスト層を現像することにより前記第2レジスト層のパターンを形成し、該パターンをマスクにして、前記第1レジスト層をドライエッチングすることにより、前記記録材料の基板上にパターンを形成することを特徴とする微細パターン形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/26 511
FI (5)：
H01L 21/30 502 D ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 573
F-Term (23)：
2H096AA25 ,  2H096BA05 ,  2H096BA06 ,  2H096BA10 ,  2H096BA20 ,  2H096CA06 ,  2H096EA02 ,  2H096EA05 ,  2H096GA08 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04 ,  2H096KA02 ,  2H096KA08 ,  2H096KA19 ,  2H096LA01 ,  5F046BA01 ,  5F046BA10 ,  5F046NA02 ,  5F046NA05 ,  5F046NA07 ,  5F046NA17 ,  5F046NA18 ,  5F046PA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (24)
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