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J-GLOBAL ID：200903085203800534

マルチチップモジュール半導体装置

Inventor：
持田 久

About 持田 久


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996017899
Publication number (International publication number)：1997213877
Application date： Feb. 02, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：
【要約】【課題】 電気的絶縁性、高熱伝導性且つ高耐熱性に優れ、低コストで、高信頼性のマルチチップモジュール半導体装置を提供することである。【解決手段】 複数のパワー素子を有するパワー回路部と、このパワー回路部を制御する制御回路部とが同一放熱板上に実装されたマルチチップモジュール半導体装置において、前記各パワー素子は、セラミックス系の絶縁層を有するヒートスプレッタを介して前記放熱板に半田付けによって実装した。その際、前記ヒートスプレッタは、熱伝導率が0.2W/°C・cm以上の高熱伝導性であり且つ300°C以上の高耐熱性を有するAl2 O3 層またはAlN層で前記絶縁層を構成し、この絶縁層の上面及び下面側に半田付け可能なメタライズ処理を施した。
Claim (excerpt)：
複数のパワー素子を有するパワー回路部と、このパワー回路部を制御する制御回路部とが同一放熱板上に実装されたマルチチップモジュール半導体装置において、前記各パワー素子は、セラミックス系の絶縁層を有するヒートスプレッタを介して前記放熱板に半田付けによって実装したことを特徴とするマルチチップモジュール半導体装置。
IPC (3)：
H01L 25/04 ,  H01L 25/18 ,  H05K 1/05
FI (2)：
H01L 25/04 Z ,  H05K 1/05 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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