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J-GLOBAL ID：200903085278373771

界面活性剤を含有する処理溶液

Inventor： ペン ザン ,  ダニエル ミーガン キング カージ ,  ユージーン ジョセフ カーワッキ,ジュニア ,  レスリー コックス バーバー
Applicant, Patent owner： エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド
Agent (5)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  西山 雅也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005079885
Publication number (International publication number)：2005292827
Application date： Mar. 18, 2005
Publication date： Oct. 20, 2005
Summary：

【課題】 半導体デバイスの欠陥、特にパターンの倒壊及びフォトレジストラインの凹凸を低減するための方法を提供すること。【解決手段】 1つ又は複数の界面活性剤を含む処理溶液を用いて、半導体デバイスの製造における欠陥の数を低減する。この処理溶液は、パターニングされたフォトレジスト層の現像の際又はその後にリンス溶液として用いられた場合に、パターンの倒壊又はライン幅の凹凸のような現像後の欠陥を低減することができる。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

半導体デバイスを製造する際の欠陥数を低減する方法であって、 フォトレジストコーティングを含む基材を提供する工程と; 該基材を放射線源にさらして該フォトレジストコーティング上にパターンを形成する工程と; 該基材に現像溶液を適用してパターニングされたフォトレジストコーティングを形成する工程と; 任意選択で該基材を脱イオン水でリンスする工程と; 該基材を、式(I)、(II)、(III)、(IVa)、(IVb)、(V)、(VI)、(VII)、(VIII)、(IXa)、(IXb)、(IXc)、(Xa)、(Xb)、(Xc)又は(Xd)、即ち、

IPC (2)：

G03F7/32 ,  H01L21/027

FI (2)：

G03F7/32 501 ,  H01L21/30 569E

F-Term (7)：

2H096AA25 ,  2H096EA02 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096GA18 ,  2H096LA16 ,  5F046LA12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

• 現像工程におけるフォトレジストパターンの倒れを防止する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-286834   Applicant：三菱電機株式会社
• 米国特許第6,152,148号明細書
  
• 国際公開第02/23598号パンフレット
  
• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-138557   Applicant：ソニー株式会社
• 国際公開第87/03387号パンフレット
  
• 米国特許第5,977,041号明細書
  
• 国際公開第00/03306号パンフレット
  
• 米国特許出願第2002/0115022号明細書
  

Cited by examiner (2)

• 半導体デバイス製造の際の欠陥低減方法及び処理溶液
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-292481   Applicant：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド
• 特許第6641986号