現像工程におけるフォトレジストパターンの倒れを防止する方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993286834
Publication number (International publication number)：1995142349
Application date： Nov. 16, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】現像工程における高アスペクト比のレジストパターンの倒れを防止する。【構成】現像液とリンス液の少なくとも一方に界面活性剤を混入し、表面処理によってレジストパターン表面の濡れ性と粘着性を低下させ、またはレジストパターン間の液体中に微小な気泡もしくは微粒子を分散させてレジストパターン間の接触を防止することによってレジストパターン倒れを低減させる。

Claim (excerpt)：

現像工程におけるフォトレジストパターンの倒れを防止する方法であって、前記現像工程に用いられる現像液とリンス液との少なくとも一方の液中に界面活性剤を添加して前記液の表面張力を低下させることを特徴とするフォトレジストパターンの倒れを防止する方法。

FI (2)：

H01L 21/30 569 E , H01L 21/30 569 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

レジストパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-129326 Applicant：株式会社ソルテック
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-122064 Applicant：富士通株式会社
レジストパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-146873 Applicant：株式会社ソルテック

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