半導体デバイス製造の際の欠陥低減方法及び処理溶液

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 永坂友康 , 西山雅也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003292481
Publication number (International publication number)：2004078217
Application date： Aug. 12, 2003
Publication date： Mar. 11, 2004
Summary：

【課題】製造中に生じる半導体デバイスの欠陥、特にパターンのつぶれを、スループットを犠牲にすることなく低減するための方法とそのための処理溶液を提供すること。【解決手段】 1種以上の界面活性剤を含む処理溶液を使用して、半導体デバイス製造時の欠陥数を低減する。この処理溶液は、特定の好ましい態様において、パターニングしたホトレジスト層の現像の際又はその後でリンス液として使用すると、パターンのつぶれのような現像後の欠陥を低減することができる。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

半導体デバイスを製造する際の欠陥を低減するための方法であって、基材を用意する工程、及び当該基材を次の式(I)又は(II)

IPC (3)：

G03F7/32 , H01L21/027 , H01L21/304

FI (3)：

G03F7/32 501 , H01L21/304 647B , H01L21/30 569E

F-Term (4)：

2H096AA25 , 2H096GA08 , 2H096GA18 , 5F046LA12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

現像工程におけるフォトレジストパターンの倒れを防止する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-286834 Applicant：三菱電機株式会社
米国特許第6152148号明細書
国際公開第02/23598号パンフレット

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Cited by examiner (5)

欠陥の削減方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2001-562265 Applicant：シップレーカンパニーエルエルシー
アセチレン列ジオールエチレンオキシド/プロピレンオキシド付加物および現像剤におけるその使用
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-401767 Applicant：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
濃厚テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-329746 Applicant：株式会社トクヤマ

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