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J-GLOBAL ID：200903085329914322

多ヘッド型磁界センサ

Inventor：
豊田 一実

About 豊田 一実


Applicant, Patent owner：
内橋エステック株式会社

About 内橋エステック株式会社


Agent (1)： 松月 美勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997208533
Publication number (International publication number)：1999038108
Application date： Jul. 17, 1997
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：
【要約】【課題】アモルファス磁性エレメントを電極間に接続し、該エレメントに電流を流し、アモルファス磁性エレメントを通過する外部磁界をバイアス磁界の重畳のもとで上記アモルファス磁性エレメントの両端間電圧で検波する磁界センサヘッドの複数箇を配設し、これら磁界センサヘッドの検波出力の差で上記複数箇の磁界センサヘッドにわたる分布外部磁界を検出する多ヘッド型磁界センサの小型化を図る。【解決手段】各磁界センサヘッドA1,A2の電極2a,2bに磁化した磁性体を用い、この磁化電極の静磁界をバイアス磁界として作用させる。
Claim (excerpt)：
アモルファス磁性エレメントを電極間に接続し、該エレメントに電流を流し、アモルファス磁性エレメントを通過する外部磁界をバイアス磁界の重畳のもとで上記アモルファス磁性エレメントの両端間電圧で検波する磁界センサヘッドの複数箇を配設し、これら磁界センサヘッドの検波出力の差で上記複数箇の磁界センサヘッドにわたる分布外部磁界を検出する多ヘッド型磁界センサにおいて、上記の各磁界センサヘッドの電極に磁化した磁性体を用い、この各磁化電極の静磁界を上記の各バイアス磁界として作用させることを特徴とする多ヘッド型磁界センサ。
IPC (5)：
G01R 33/02 ,  G01D 5/14 ,  G11B 5/127 ,  G11B 5/37 ,  H01F 1/153
FI (5)：
G01R 33/02 D ,  G01D 5/14 E ,  G11B 5/127 Y ,  G11B 5/37 ,  H01F 1/14 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 特許第3607447号
  • 特開平3-252578
  • 磁界センサ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-032574   Applicant：ミツミ電機株式会社
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