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J-GLOBAL ID：200903085378525455
半導体デバイスの製造工程監視方法及びそのシステム
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002036131
Publication number (International publication number)：2003173948
Application date： Feb. 14, 2002
Publication date： Jun. 20, 2003
Summary：
【要約】【課題】リソグラフィプロセスにおいて、製品ウェーハレベルで、露光装置の条件変動(露光量とフォーカスのずれ)を検出する方法がなかった。【解決手段】事前に様々な露光量、フォーカス値における電子線像、ラインプロファイル、寸法等の特徴量の算出結果をライブラリとして保存し、これと製品ウェーハの電子線像との比較することにより、露光量・フォーカス値のずれ検出、および画面上での結果確認が容易になるようにする。
Claim (excerpt)：
半導体デバイスの製造工程を監視するシステムであって、所定の処理工程を経て表面にパターンが形成された基板に電子線を走査しながら照射して前記基板の表面に形成されたパターンの電子線像を得るための画像取得手段と、該画像取得手段により得た前記パターンの電子線像から該パターンの特徴量を算出する算出手段と、前記所定の処理工程における処理条件パラメータと前記所定の処理工程を経ることにより基板上に形成されるパターンの特徴量との関係を記述したリファレンスデータベースを記憶した記憶手段と、前記特徴量を算出する手段で算出した前記パターンの電子線像の特徴量と前記記憶手段に記憶したリファレンスデータベースに記述された処理条件パラメータとパターンの特徴量の関係とを参照して前記所定の処理工程の状態を監視する監視手段とを備えたことを特徴とする半導体デバイスの製造工程監視システム。
IPC (4)：
H01L 21/02
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
, H01L 21/66
H01L 21/02 Z
, G03F 7/20 521
, H01L 21/66 Z
, H01L 21/30 502 V
