半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995303675
Publication number (International publication number)：1997129614
Application date： Oct. 27, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】エッチングによって形成される凸部の下端とマスクとの寸法変換差を低減し、かつ制御できる半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】残存部と開口部とからなるパターンを有するレジスト膜により被エッチング部が被覆された半導体ウエハ10をチャンバ21内に設置し、チャンバ21内にガスを導入し、ドライエッチングを行ってレジスト膜の残存部下方には凸部を開口部下方には凹部をそれぞれ形成する。予め、一定のガス圧力下における寸法変換差とガス流量との関係をデータベース化して記憶しておき、ドライエッチング工程における寸法変換差がレジスト膜の残存部の寸法と被エッチング部の仕上がり寸法との差に等しくなるように、ガス流量を制御する。これにより、レジスト膜寸法のばらつきを解消するようにして、被エッチング部の仕上がり寸法の精度を向上させ、仕上がり寸法のばらつきを低減する。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハの被エッチング部の上にエッチングマスクを形成するフォトリソグラフィー工程と、上記エッチングマスクの残存部の横方向寸法を測定する工程と、上記測定結果に基づき上記反応室内のガスの圧力及び流量を決定する工程と、上記半導体ウエハを反応室内に設置し、上記反応室内にエッチング用ガスを導入する工程と、上記ガスを用いてドライエッチングを行い、上記被エッチング部における上記エッチングマスクの残存部下方には凸部を上記エッチングマスクの開口部下方には凹部をそれぞれ形成する工程とを備え、上記ドライエッチングを行う工程では、上記ガスの圧力と流量とを決定する工程で決定された条件に従いガスの圧力と流量とを調整することにより、上記ドライエッチングにより発生するエッチング生成物の上記凹部外への排出割合と上記凸部側壁への付着割合とを制御して、上記凸部の下端部と上記エッチングマスクの上記残存部との間における横方向寸法差である寸法変換差を所定範囲に収めることを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2)：

H01L 21/302 C , H01L 21/302 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

ドライエツチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-042414 Applicant：ソニー株式会社
ドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-257991 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平1-194325

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