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J-GLOBAL ID：200903085403886433

高電子移動度トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 森塚 真由美
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000094574
Publication number (International publication number)：2001284576
Application date： Mar. 30, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】 キンク現象を抑制した窒素化合物系高電子移動度トランジスタを提供する。【解決手段】 基板(15)上に形成された電子蓄積層(11)と、前記電子蓄積層上に形成された電子供給層(13)と、前記電子供給層上に形成されたゲート電極(16)、ソース電極(17)及びドレイン電極(18)と、前記電子蓄積層上に形成された正孔吸収用電極(19)を備えることを特徴とする高電子移動度トランジスタ。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された電子蓄積層と、前記電子蓄積層上に形成された電子供給層と、前記電子供給層上に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、前記電子蓄積層上に形成された正孔吸収用電極を備えることを特徴とする高電子移動度トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

F-Term (18)：

5F102FA00 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GL05 ,  5F102GM00 ,  5F102GM04 ,  5F102GM06 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR11 ,  5F102GT03 ,  5F102GV00 ,  5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 電界効果トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-023943   Applicant：日本電信電話株式会社
• 絶縁性窒化物膜およびそれを用いた半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-235336   Applicant：日本電信電話株式会社