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J-GLOBAL ID：200903085546129528

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
原 明稔

About 原 明稔


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 上柳 雅誉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000278863
Publication number (International publication number)：2002093992
Application date： Sep. 13, 2000
Publication date： Mar. 29, 2002
Summary：
【要約】【課題】 下側に搭載する半導体素子より大きな半導体素子を上側に搭載できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体装置は、表面に導電パターン12を有する基板11と、この基板上に搭載された第1の半導体素子13と、第1の半導体素子上に搭載された、第1の半導体素子の主面の大きさより小さい主面を有するスペーサ15と、このスペーサ上に搭載された、第1の半導体素子の主面の大きさより大きい主面を有する第2の半導体素子16と、第1の半導体素子と上記導電パターンとが接続された第1のボンディングワイヤ17と、第2の半導体素子と上記導電パターンとが接続された第2のボンディングワイヤ18と、基板の上面、第1の半導体素子、第2の半導体素子、スペーサ、第1のボンディングワイヤ、及び、第2のボンディングワイヤが封止された樹脂20と、を具備する。
Claim (excerpt)：
表面に導電パターンを有する基板と、この基板上に搭載された第1の半導体素子と、第1の半導体素子上に搭載された、第1の半導体素子の主面の大きさより小さい主面を有するスペーサと、このスペーサ上に搭載された、第1の半導体素子の主面の大きさより大きい主面を有する第2の半導体素子と、第1の半導体素子と上記導電パターンとが接続された第1のボンディングワイヤと、第2の半導体素子と上記導電パターンとが接続された第2のボンディングワイヤと、基板の上面、第1の半導体素子、第2の半導体素子、スペーサ、第1のボンディングワイヤ、及び、第2のボンディングワイヤが封止された樹脂と、を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 25/04
FI (2)：
H01L 25/08 Z ,  H01L 25/04 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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