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J-GLOBAL ID：200903085581312424

メカノケミカル研磨装置

Inventor：
松井 正樹

About 松井 正樹


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (2)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006003055
Publication number (International publication number)：2006121111
Application date： Jan. 10, 2006
Publication date： May. 11, 2006
Summary：
【課題】SiCなどの硬質材料を低い加工圧力でも効率よく研磨することができるメカノケミカル研磨方法及びメカノケミカル研磨装置を提供する。【解決手段】研磨定盤1には研磨布2が貼り付けられている。研磨定盤1の上方においてウェハ保持用テーブル3が配置され、ウェハ保持用テーブル3にSiCウェハ4が保持される。研磨定盤1の上方において注液器5が設置され、注液器5から薬液(過酸化水素水に酸化クロム砥粒を分散させたもの)6が研磨布2上に滴下される。SiCウェハ4の研磨する面を、研磨定盤1に貼り付けられた研磨布2に所定の加工圧力で押し付け、ウェハ保持用テーブル3と研磨定盤1を回転させ、研磨布2上に薬液6を滴下しながら研磨が行われる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
酸化クロム(III)の粉末を砥粒として用い、被研磨材である半導体ウェハの研磨を行うメカノケミカル研磨装置において、 半導体ウェハに対し相対運動する部材の表面に研磨布を配するとともに、研磨面に酸化性の薬液として過酸化水素水を供給するための注液器を設け、研磨面が所定の圧力で押し付けられる前記研磨布上に過酸化水素水を滴下しながら研磨することを特徴とするメカノケミカル研磨装置。
IPC (3)：
H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14
FI (7)：
H01L21/304 621D ,  B24B37/00 C ,  B24B37/00 H ,  H01L21/304 622B ,  H01L21/304 622F ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z
F-Term (7)：
3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CA01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (5)
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