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J-GLOBAL ID：200903085619267827

反射防止膜の形成方法

Inventor： 橋本 修一 ,  笠間 邦彦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 志賀 正武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995293053
Publication number (International publication number)：1997134871
Application date： Nov. 10, 1995
Publication date： May. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】 基板に段差がある場合でも膜厚が均一になり、反射率のむらを生じさせることのない反射防止膜の形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に光酸発生剤2の薄膜を形成する工程と、その上に染料と架橋剤を含んだネガ型レジスト樹脂3を形成する工程と、遠紫外線による半導体基板の全面露光、ベーク、現像を施し、光酸発生剤2の近傍部分のみで架橋反応を起こさせることにより、半導体基板1の段差に沿った反射防止膜5を形成する工程を備えている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に光酸発生剤の薄膜を形成する工程と、架橋剤を含み実際のレジストパターン露光時に用いる光に対して吸光性を持つ非感光性のネガレジスト樹脂からなる膜を前記薄膜上に形成する工程と、紫外線または遠紫外線を用いて前記半導体基板全面の露光を行い、さらに、ベーク、現像を行うことによって前記半導体基板上に前記ネガレジスト樹脂の薄膜を反射防止膜として残す工程とを備えたことを特徴とする反射防止膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 505

FI (3)：

H01L 21/30 574 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 505

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-234338   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-186216   Applicant：富士通株式会社