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J-GLOBAL ID：200903085623173080

低順電圧で低逆電流の動作特性を有する窒化ガリウムベースのダイオード

Inventor：
プリミット パリーク

About プリミット パリーク

, 
ウメシュ ミシュラ

About ウメシュ ミシュラ


Applicant, Patent owner：
クリー インコーポレイテッド

About クリー インコーポレイテッド


Agent (2)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008264568
Publication number (International publication number)：2009016875
Application date： Oct. 10, 2008
Publication date： Jan. 22, 2009
Summary：
【課題】オン状態電圧(Vf)が低く、逆電流(Irev)を比較的低く保つ構造を有する、新しいIII族ベースのダイオードを可能にすること。【解決手段】本発明の一実施形態は、そのフェルミ準位(または表面ポテンシャル)がピン止めされないGaN系材料から作成されたショットキー障壁ダイオード(10)である。金属-半導体接合での障壁ポテンシャル(33)は、使用する金属(16)のタイプに応じて変動し、特定の金属を使用することにより、ダイオードのショットキー障壁のポテンシャル(33)が下がり、Vfが0.1〜0.3Vの範囲となる。別の実施形態(40)では、トレンチ構造(45)が、逆漏れ電流を低減するためにショットキーダイオード半導体材料(44)上に形成され、隣接するトレンチ(46)の間にメサ領域(49)を有するいくつかの平行な等間隔のトレンチ(46)を有する。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
n+に不純物を添加された層(52)と、 前記n+に不純物を添加された層(52)に隣接するn-に不純物を添加された層(53)と、 前記n+に不純物を添加された層(52)と反対側の、前記n-に不純物を添加された層(53)に隣接する障壁層(54)と、 前記n-に不純物を添加された層(53)の反対側の、前記障壁層(54)上の金属層(56)であって、前記n-に不純物を添加された層(53)は、前記障壁層(54)と共に障壁ポテンシャル(81)を有する接合を形成し、前記障壁ポテンシャル(81)により、順バイアス下で前記障壁ポテンシャル(81)を通過する電子トンネル効果の結果としてダイオードのオン状態電圧が低くなる金属層(56)と を備えたことを特徴とするトンネルダイオード。
IPC (3)：
H01L 29/88 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (2)：
H01L29/88 F ,  H01L29/48 D
F-Term (10)：
4M104AA04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104FF03 ,  4M104FF31 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 米国特許Nos.Re.34861
  • 米国特許第4946547号
  • 米国特許第5200022号
Cited by examiner (5)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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