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J-GLOBAL ID:200903085635341476
素子の実装構造及びその実装方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
清水 守 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995283502
Publication number (International publication number):1997129675
Application date: Oct. 31, 1995
Publication date: May. 16, 1997
Summary:
【要約】【課題】 電気的接続部におけるクラックを防止することができ、接続不良を低減し、接続信頼性の向上を図る。【解決手段】 素子の実装構造において、配線基板11上に接続される下部接続部16-1と、この下部接続部16-1からオフセット形状に形成され前記配線基板11間に空隙19を有する上部電極部16-2とを有する基板電極16と、前記基板電極16の上部電極部16-2に電気的接続体18を介して接続される素子17を具備する。
Claim (excerpt):
素子の実装構造において、(a)配線基板上に接続される下部接続部と、該下部接続部からオフセット形状に形成され、前記配線基板間に空隙を有する上部電極部とを有する基板電極と、(b)該基板電極の上部電極部に接続体を介して接続される素子を具備することを特徴とする素子の実装構造。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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半導体集積回路装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-189218
Applicant:株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
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特開平4-072690
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特開昭57-181144
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半導体素子の接続構造
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-206462
Applicant:シヤープ株式会社
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特開平4-159740
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特開平1-150343
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特開平4-233749
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半導体装置及び実装構造
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-055406
Applicant:株式会社日立製作所
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