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J-GLOBAL ID：200903085655671359

シリコンウエーハの熱処理方法およびシリコンウエーハ

Inventor： 小林 徳弘 ,  岡 哲史 ,  阿部 孝夫
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998082606
Publication number (International publication number)：1998326790
Application date： Mar. 13, 1998
Publication date： Dec. 08, 1998
Summary：

【要約】【課題】 シリコンウエーハを急速加熱・急速冷却できる装置を用いて、還元性雰囲気下で熱処理する方法に関し、特にシリコンウエーハ表面のCOP密度および酸化誘起積層欠陥の核となる微小欠陥を低下させることができる熱処理方法を提供する。【解決手段】 シリコンウエーハを急速加熱・急速冷却できる装置を用いて還元性雰囲気下で熱処理する方法において、該シリコンウエーハを1200°C〜シリコンの融点以下の温度範囲で、1〜60秒間熱処理をすることを特徴とするシリコンウエーハの熱処理方法。この場合、還元性雰囲気を、100%水素雰囲気、あるいは水素とアルゴンの混合雰囲気とし、熱処理時間を、1〜30秒とするのが好ましい。

Claim (excerpt)：

シリコンウエーハを急速加熱・急速冷却できる装置を用いて還元性雰囲気下で熱処理する方法において、該シリコンウエーハを1200°C〜シリコンの融点以下の温度範囲で、1〜60秒間熱処理をすることを特徴とするシリコンウエーハの熱処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/324 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/316

FI (4)：

H01L 21/324 X ,  C30B 29/06 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/316 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• シリコンウェーハの熱処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-209280   Applicant：コマツ電子金属株式会社
• シリコンウエーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-232516   Applicant：東芝セラミックス株式会社
• 特開昭61-193456