Pat
J-GLOBAL ID：200903085663234537

反応性ガスを用いた物質処理方法およびその装置

Inventor：
吐合 一徳

About 吐合 一徳


Applicant, Patent owner：
株式会社安川電機

About 株式会社安川電機


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001273255
Publication number (International publication number)：2003080059
Application date： Sep. 10, 2001
Publication date： Mar. 18, 2003
Summary：
【要約】【課題】 小型でエネルギー効率が高く、安定した放電が得られ、かつ、生成されるオゾンよりも反応性の高い活性酸素種やラジカル種等を有効に利用できる物質処理装置を得る。【解決手段】 本発明の反応性ガスを用いた物質処理装置は、高電圧電極12と低電圧電極13とを所定の放電空間を介して対向させた反応器10の前段に設けた原料ガスの導入部16と、反応器の後段に設けた反応性ガスの取出部17と、取出部に隣接して設けた処理室11と、パルス高電圧を発生する電源とを備え、放電空間の圧力が取出部の圧力よりも高くなるように原料ガスを導入し、この状態でパルス高電圧を印加して低温プラズマを発生させ、この低温プラズマにより反応性ガスを発生し、反応性ガス19と放電光20とを処理室に噴射し被処理対象物に接触させて処理するものである。
Claim (excerpt)：
【請求項1】 高電圧電極と低電圧電極とを所定の放電空間を介して対向させて反応器を形成し、前記放電空間に原料ガスを導入して前記高電圧電極に高電圧を印加し、発生したプラズマにより前記原料ガスを反応性ガスにし、この反応性ガスを被処理対象物に接触させて処理する物質処理方法において、前記反応器の前段に前記原料ガスの導入部を、後段に前記反応性ガスの取出部を設け、前記取出部に隣接して前記被処理対象物を処理する処理室を設け、前記放電空間の圧力を前記取出部の圧力よりも高くなるように前記原料ガスを導入し、この状態でパルス高電圧を印加して低温プラズマを発生させ、前記反応性ガスと放電光とを前記取出部から前記処理室に噴射することを特徴とする反応性ガスを用いた物質処理方法。
IPC (3)：
B01J 19/08 ,  B01J 19/12 ,  C01B 13/11
FI (3)：
B01J 19/08 E ,  B01J 19/12 C ,  C01B 13/11 A
F-Term (26)：
4G042CA01 ,  4G042CC02 ,  4G042CC11 ,  4G042CE04 ,  4G075AA01 ,  4G075AA07 ,  4G075AA15 ,  4G075AA30 ,  4G075AA37 ,  4G075BA04 ,  4G075BA05 ,  4G075BA06 ,  4G075BA10 ,  4G075CA62 ,  4G075DA02 ,  4G075EA01 ,  4G075EB41 ,  4G075EC01 ,  4G075EC21 ,  4G075FA01 ,  4G075FA03 ,  4G075FA05 ,  4G075FC04 ,  4G075FC09 ,  4G075FC15 ,  4G075FC17
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM