Pat
J-GLOBAL ID：200903085700141544

パタ-ン形成方法

Inventor：
浅野 昌史

About 浅野 昌史


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999001907
Publication number (International publication number)：2000199953
Application date： Jan. 07, 1999
Publication date： Jul. 18, 2000
Summary：
【要約】【課題】 通常のレジストを用いるにも拘わらず、レジストパターンの解像度を2倍に向上させる。【解決手段】 レジストパターン形成方法において、Siウェハ10上に形成された反射防止膜11上にレジスト膜12を形成した後、L/Sパターンの露光用マスク14を用いてレジスト膜12に所望パターンを露光し、次いでレジスト膜12を該膜12がポジパターンを得るようなアルカリ現像液を用いて現像し、次いでレジスト膜12を該膜12がネガパターンを得るような有機溶剤を用いて現像することにより、レジスト膜12の中間露光量領域のみを残し、マスクパターンの半ピッチのL/Sパターンを形成する。
Claim (excerpt)：
被処理基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に所望パターンを露光する工程と、前記レジスト膜を該レジスト膜がポジパターンを得るような第1の現像液を用いて現像する工程と、前記レジスト膜を該レジスト膜がネガパターンを得るような第2の現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (2)：
G03F 7/004 515 ,  H01L 21/027
FI (4)：
G03F 7/004 515 ,  H01L 21/30 514 C ,  H01L 21/30 569 F ,  H01L 21/30 573
F-Term (30)：
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC07 ,  2H025AD07 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB52 ,  2H025DA18 ,  2H025EA04 ,  2H025FA03 ,  2H025FA15 ,  2H025FA16 ,  2H025FA39 ,  2H025FA41 ,  5F046AA02 ,  5F046AA07 ,  5F046AA08 ,  5F046AA09 ,  5F046AA10 ,  5F046BA08 ,  5F046EA02 ,  5F046LA00
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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