基板分割方法及びその基板分割を用いた発光素子製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996268370
Publication number (International publication number)：1998116801
Application date： Oct. 09, 1996
Publication date： May. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】本発明はガラス基板、セラミック基板、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ等の脆性基板の分割方法に関し、殊に複数の素子が配置された半導体ウエハや光学素子基板を個別の素子単位に分割する基板分割方法において、回転ブレードの刃幅による切り代の制約を受けることなく、小さな切り代でダイシングを行え、しかも裏面溝等の余分な工程を付加することなく簡易にチップ分割を行える基板分割方法を提供することである。【解決手段】本発明にかかる基板分割方法は、脆性基板に外力を加えて湾曲させる等して応力集中を生じさせ、その応力集中部分に光を照射し、その光照射の加熱によってクラックを発生させて前記基板を分割することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板に外力を加え、その外力による前記基板の応力集中部分に光を照射し、その照射光の加熱によってクラックを発生させて前記基板を分割することを特徴とする基板分割方法。

IPC (6)：

H01L 21/301 , B23K 26/00 320 , B26F 3/00 , B28D 5/00 , H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (7)：

H01L 21/78 Q , B23K 26/00 320 E , B26F 3/00 Z , B28D 5/00 A , H01L 33/00 N , H01S 3/18 , H01L 21/78 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

脆性材料の割断方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-121038 Applicant：双栄通商株式会社, 長崎県, 新技術事業団
特開平3-276662
半導体レーザダイオードの素子分割方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-163253 Applicant：関西日本電気株式会社

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基板分割方法及びその基板分割を用いた発光素子製造 方法

基板分割方法及びその基板分割を用いた発光素子製造方法