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J-GLOBAL ID：200903085752694916

半導体層の膜厚測定方法及び半導体基板の製造方法

Inventor：
大川 誠

About 大川 誠


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (3)： 碓氷 裕彦 ,  加藤 大登 ,  伊藤 高順
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004376264
Publication number (International publication number)：2005184013
Application date： Dec. 27, 2004
Publication date： Jul. 07, 2005
Summary：
【課題】 干渉情報を取得するタイムラグや光の干渉が弱まる節を考慮して正確に膜厚計測が行えるようにする。【解決手段】 活性層6aと支持基板6bとによって酸化膜6cを挟み込んで構成されたSOI基板6に対し、活性層6aの膜厚を測定する膜厚測定方法において、まず、酸化膜6bの両面での反射光により、干渉が弱められた「節」となる波長を除くように解析波長領域を設定する。そして、活性層6aに対して光を照射したことによる反射光を回折格子4aにて各波長別に分光したのち、分光された各波長別の光の干渉情報をCCDアレイ4bにて一括して取得する。その後、解析波長領域における干渉情報を用いて、活性層6aの膜厚を算出する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体層で構成された活性層(6a)と支持基板(6b)とによって酸化膜(6c)を挟み込んで構成されたSOI基板(6)に対して光を照射し、前記SOI基板からの反射光に基づいて前記活性層の膜厚を測定する膜厚測定方法であって、 前記酸化膜の両面での反射光により、光の干渉が弱められた波長を除くように解析波長領域を設定する工程と、 前記活性層に対して光を照射したことによる反射光を各波長別に分光する工程と、 前記分光された各波長別の光の干渉情報を一括して取得する工程と、 前記解析波長領域における前記干渉情報から波長と反射強度との関係を求めると共に、この関係を示した波形の極大値もしくは極小値となる波長を求め、該極大値もしくは極小値となる波長から前記活性層の膜厚を算出する工程とを有し、 前記活性層の膜厚を算出する工程では、任意の極大値もしくは極小値における波長をλ1、λ2、波長λでの膜の屈折率をn(λ)、両波長間の周波数もしくは波数をX、単層膜構造と2層膜構造における前記極大値もしくは前記極小値となる波長での位相シフト量をs1、s2とすると、前記活性層の膜厚dを、
IPC (3)：
H01L21/66 ,  G01B11/06 ,  H01L21/304
FI (3)：
H01L21/66 P ,  G01B11/06 G ,  H01L21/304 622S
F-Term (30)：
2F065AA30 ,  2F065BB01 ,  2F065BB17 ,  2F065CC19 ,  2F065CC31 ,  2F065DD06 ,  2F065EE00 ,  2F065FF46 ,  2F065FF51 ,  2F065GG02 ,  2F065GG03 ,  2F065GG24 ,  2F065JJ02 ,  2F065JJ25 ,  2F065LL02 ,  2F065LL22 ,  2F065LL42 ,  2F065LL67 ,  2F065QQ25 ,  2F065QQ29 ,  2F065QQ42 ,  4M106AA01 ,  4M106BA04 ,  4M106CA18 ,  4M106CA48 ,  4M106DH03 ,  4M106DH12 ,  4M106DH31 ,  4M106DJ19 ,  4M106DJ20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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