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J-GLOBAL ID：200903085885971920

研磨用組成物

Inventor： 鈴 村 聡 ,  伊 東 真 時
Applicant, Patent owner： 株式会社フジミインコーポレーテッド
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997131073
Publication number (International publication number)：1998321569
Application date： May. 21, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ポリシリコン膜に対する研磨速度、およびポリシリコン膜の二酸化ケイ素膜に対する選択比が大きく、表面欠陥の少ない、優れた研磨表面を形成させることができる研磨用組成物の提供。【解決手段】 二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化チタン、窒化ケイ素、酸化ジルコニウム、および二酸化マンガンからなる群より選ばれる少なくとも1種類の研磨材および水を含んでなる研磨用組成物であって、さらにこの組成物中に溶存している塩基性有機化合物を含んでなることを特徴とする、ポリシリコン研磨用組成物。

Claim (excerpt)：

二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化チタン、窒化ケイ素、酸化ジルコニウム、および二酸化マンガンからなる群より選ばれる少なくとも1種類の研磨材および水を含んでなる研磨用組成物であって、さらにこの組成物中に溶存している塩基性有機化合物を含んでなることを特徴とする、ポリシリコン研磨用組成物。

IPC (4)：

H01L 21/304 321 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14

FI (4)：

H01L 21/304 321 P ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 M

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• シリコンウェハの研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-243811   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 半導体ウエハーの研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-007150   Applicant：日産化学工業株式会社
• 特開昭62-030333
  

Cited by examiner (3)

• シリコンウェハの研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-243811   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 半導体ウエハーの研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-007150   Applicant：日産化学工業株式会社
• 特開昭62-030333