半導体ウエハーの研磨方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996007150
Publication number (International publication number)：1996279480
Application date： Jan. 19, 1996
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：

【要約】【課題】半導体ウエハーの研磨効率を向上させると共に、研磨後にウエハー表面に残存してエッチングを引き起こす原因となる強アルカリ性を示すイオンを効率的に除去する。【解決手段】 10.2以上のpHを有するコロイダルシリカ水溶液で半導体ウエハーの表面を研磨する第一工程と、2〜9のpHを有し且つ4〜500nmの粒子径を有する粒子の水性分散液を第一工程で研磨された表面に接触させる第二工程からなる半導体ウエハーの研磨方法。

Claim (excerpt)：

10.2以上のpHを有するコロイダルシリカ水溶液で半導体ウエハーの表面を研磨する第一工程と、2〜9のpHを有し且つ4〜500nmの粒子径を有する粒子の水性分散液を第一工程で研磨された表面に接触させる第二工程からなる半導体ウエハーの研磨方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/304 , B24B 1/00

FI (3)：

H01L 21/304 321 M , H01L 21/304 321 P , B24B 1/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

化合物半導体ウェハの研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-349976 Applicant：三菱マテリアル株式会社
化合物半導体ウエハの研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-202247 Applicant：三菱マテリアル株式会社
特開昭63-221967

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