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J-GLOBAL ID：200903085890245251

半導体パワーモジュールおよびその製造方法

Inventor： 山口 哲司 ,  山本 康博 ,  川藤 寿 ,  加柴 良裕 ,  中出口 真治 ,  藤原 通雄
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995150535
Publication number (International publication number)：1997008223
Application date： Jun. 16, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】【目的】 製造を容易化しコストを節減する。【構成】 箱状の絶縁体の枠体102の底面部に設けられた開口部30に絶縁配線基板100が挿入され、接着剤17で固着されている。絶縁配線基板100では、アルミベース板1の上に絶縁層2を介してパターン化された金属箔3が配設されている。この金属箔3の上の所定部位に電力用半導体素子5がハンダ4で固着されている。枠体102の底面部には電子部品13を搭載した制御基板101が固定されている。端子14a、14bは、枠体102に一部が埋め込まれることによって固定されている。このため、端子14a、14bを制御基板101の上の配線10などにハンダ付けする必要がない。【効果】 製造が容易で低コストである。

Claim (excerpt)：

外部の負荷への電力の供給を担う主電流の流れを制御する電力用半導体素子が搭載された主回路基板と、当該電力用半導体素子の動作を制御する制御回路素子が搭載される制御回路基板とが、電気絶縁性の枠体を通じて固定的に連結されている半導体パワーモジュールにおいて、外部との間で主電流および電気信号の入出力を行うための複数の端子の各1が、前記枠体に一部埋設されることによって当該枠体に固定されていることを特徴とする半導体パワーモジュール。

IPC (2)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-324874   Applicant：富士電機株式会社
• 特開平4-354362
  
• 半導体パワーモジュールおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-223389   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-048051   Applicant：株式会社東芝