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J-GLOBAL ID：200903085924900971

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置

Inventor： 岩崎 仁志 ,  鴻井 克彦 ,  吉川 将寿 ,  湯浅 裕美 ,  福澤 英明 ,  佐橋 政司
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 松山 允之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001190512
Publication number (International publication number)：2003008103
Application date： Jun. 22, 2001
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】 TMR素子と異なりショットノイズや高周波応答に優れる金属中間層を用いたCPP素子において、抵抗変化率の増大、素子抵抗増大およびピンホールに依存せずばらつきも解消された磁気抵抗効果素子、およびそれを用いた磁気デバイス、特に磁気ヘッド、それを搭載した磁気再生装置を提供することを目的とする。【解決手段】 強磁性、フェリ磁性または反強磁性磁性の磁性を有し、電子のスピン方向に応じて伝導現象が大幅に異なる特性を有するハーフメタルを主成分とする磁性層を磁気抵抗効果膜に挿入する。

Claim (excerpt)：

磁化方向が実質的に一方向に固着された磁性体膜を有する磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁性体膜を有する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた非磁性金属中間層と、を有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に対して略垂直な方向に電流を通電するために前記磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極と、を備え、前記磁気抵抗効果膜は、ハーフメタルを主成分とした磁性層を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/20 ,  H01F 10/32

FI (5)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/20 ,  H01F 10/32 ,  G01R 33/06 R

F-Term (10)：

2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA02 ,  5D034BA03 ,  5D034CA04 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気再生装置、及び磁性積層体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-286561   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子及び磁気記録装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-374033   Applicant：株式会社東芝
• 磁界センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-067144   Applicant：日立マクセル株式会社
• 磁気抵抗素子とその製造方法、および化合物磁性薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-268655   Applicant：松下電器産業株式会社