高純度チタン酸バリウムストロンチウムスパッタリングターゲット材およびその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996058099
Publication number (International publication number)：1997249967
Application date： Mar. 14, 1996
Publication date： Sep. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】高純度チタン酸バリウムストロンチウムスパッタリングターゲット材およびその製造方法。【解決手段】本発明高純度チタン酸バリウムストロンチウムスパッタリングターゲット材およびその製造方法は、高純度チタン酸バリウムストロンチウム酸化物焼結体において、該酸化物焼結体が、化学量論組成を有し、密度が90〜95%であり、かつ焼結体粒子径が0.1〜3μmで、純度4N以上である高純度チタン酸バリウムストロンチウムスパッタリングターゲット材と、純度4N以上の(Ba,Sr)TiO3ーx(x=0〜0.05)の粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中1100〜1300°Cでホットプレスして酸素欠損型となった(Ba,Sr)TiO3ーx(x=0.001〜0.05)焼結体を、大気または酸素雰囲気中800〜1100°Cで酸化させて作る製造方法とからなる。

Claim (excerpt)：

高純度チタン酸バリウムストロンチウム酸化物焼結体において、該酸化物焼結体が、化学量論組成を有し、密度が90〜98%であり、かつ焼結体平均粒子径が0.3〜3μmで、純度4N以上であることを特徴とする高純度チタン酸バリウムストロンチウムスパッタリングターゲット材。

IPC (5)：

C23C 14/34 , C23C 14/08 , H01L 21/285 , H01L 21/203 , H01L 21/316

FI (5)：

C23C 14/34 A , C23C 14/08 K , H01L 21/285 S , H01L 21/203 S , H01L 21/316 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-120120 Applicant：真空冶金株式会社
チタン酸ストロンチウムターゲットの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-166654 Applicant：東ソー株式会社
特開昭59-199504

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