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J-GLOBAL ID：200903053374375824

チタン酸ストロンチウムターゲットの製造方法

Inventor： 満 俊宏 ,  大貫 由紀夫
Applicant, Patent owner： 東ソー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994166654
Publication number (International publication number)：1996027571
Application date： Jul. 19, 1994
Publication date： Jan. 30, 1996
Summary：

【要約】【構成】 平均粒径が0.1〜5.0μmのチタン酸ストロンチウム粉末をプレス成形法や鋳込成形法等により成形した後、焼結することによって焼結密度が4.61g/cm3以上のチタン酸ストロンチウムターゲットを製造する。【効果】 焼結後に組成の部分的な不均一による色むらがなく、製造工程中のクラックの発生が認められず、またスパッタリング中にクラックの発生のない信頼性の高いターゲットが得られる。

Claim (excerpt)：

平均粒径が0.1〜5.0μmのチタン酸ストロンチウム粉末を成形、焼結してなる焼結密度が4.61g/cm3以上のチタン酸ストロンチウムターゲットの製造方法。

IPC (2)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• ITOスパツタリングタ-ゲツトの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-336301   Applicant：株式会社日鉱共石
• 特開昭62-058510
  
• 鉛含有ペロブスカイト構造複合酸化物強誘電体薄膜製造用スパッタリングターゲット材およびその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-148857   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• 高密度ITO焼結体及びスパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-143652   Applicant：東ソー株式会社
• 高純度誘電体薄膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-024294   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• スパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-253382   Applicant：日本真空技術株式会社
• 誘電体膜の成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-253383   Applicant：日本真空技術株式会社
• 特開昭61-269804