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J-GLOBAL ID：200903085926305680

パターン形成用テンプレート、パターン形成方法、及びナノインプリント装置

Inventor：
米田 郁男

About 米田 郁男


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006273179
Publication number (International publication number)：2008091782
Application date： Oct. 04, 2006
Publication date： Apr. 17, 2008
Summary：
【課題】近隣チップへの余剰インプリント材料の漏出を防ぐことが出来るパターン形成用テンプレートを提供すること。【解決手段】パターン形成用テンプレート20は、被加工基板の上に塗布された光硬化性を有する液体からなるインプリント材料層に凹凸を有するパターン24が形成された面を接触させた状態で、前記パターン24が形成されていない面の上から光を照射して前記インプリント材料層を硬化することにより前記パターン24を前記インプリント材料層に転写するナノインプリント法におけるパターン形成用テンプレート20であって、前記パターン24とは別に余剰な前記液体を吸収するためのダミー溝21が形成されている。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
被加工基板の上に塗布された光硬化性を有する液体からなるインプリント材料層に凹凸を有するパターンが形成された面を接触させた状態で、前記パターンが形成されていない面の上から光を照射して前記インプリント材料層を硬化することにより前記パターンを前記インプリント材料層に転写するナノインプリント法におけるパターン形成用テンプレートであって、 前記パターンとは別に余剰な前記液体を吸収するためのダミー溝が形成されている ことを特徴とするパターン形成用テンプレート。
IPC (2)：
H01L 21/027 ,  B81C 5/00
FI (2)：
H01L21/30 502D ,  B81C5/00
F-Term (1)：
5F046BA10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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