Pat

J-GLOBAL ID：200903085929052391

エッチング液を用いたPZT系薄膜の洗浄方法

Inventor： 李 俊 冀 ,  金 昌 ▲じゅん▼ ,  鄭 一 燮
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 小野 由己男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999193091
Publication number (International publication number)：2000133643
Application date： Jul. 07, 1999
Publication date： May. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】PZT系薄膜に生じる2次相や蝕刻損失相の除去。【解決手段】 HFと酢酸との混合エッチング液にPZT系薄膜を浸漬し、PZT系薄膜の表面をエッチングする。"HF(或いはBOE)+酢酸"の組合せ、または"HF(或いはBOE)+酢酸+アルコール(或いは極性溶剤)"の組合せをエッチング液として用いる。HFの濃度に依存するPZT系薄膜のエッチング速度を落すことにより、PZT系薄膜を100Å以下の細かい膜厚まで限定してエッチングでき、PZT系薄膜の表面の2次相結晶あるいは蝕刻損傷層だけ除去できる。従って、該特性が損傷していないPZT系薄膜を得ることができる。

Claim (excerpt)：

HFと酢酸との混合エッチング液にPZT系薄膜を浸漬し、前記PZT系薄膜の表面をエッチングする段階を含む、エッチング液を用いたPZT系薄膜の洗浄方法。

IPC (6)：

H01L 21/308 ,  C09K 13/08 ,  C23F 1/30 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5)：

H01L 21/308 E ,  C09K 13/08 ,  C23F 1/30 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-260828
  
• 誘電体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-060515   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-026608   Applicant：三菱瓦斯化学株式会社, 三菱電機株式会社